美光更新全新制程工艺：首次引入EUV工艺，128GB内存也能享受超高频率
可以说EUV光刻机已经成为了现在炙手可热的美光先进产品，基于EUV打造的更新工艺V工高频芯片产品也将成为行业的标杆，不过大家平时熟悉的全新欧易注册基于EUV光刻打造的芯片为各种处理器，事实上如今DRAM颗粒也开始陆续引入EUV工艺，制程以取得更加出色的首次受超频率以及传输带宽，以满足AI计算与推理所需的引入艺严苛性能需求，目前美光就表示引入了EUV工艺用于DRAM颗粒的内能享制造，从而让大容量内存也能实现超高频率。存也
根据美光自己的美光欧易注册说法，目前内存的更新工艺V工高频制造工艺已经进化到1γnm，与处理器所采用的全新制程工艺有所不同的是，内存颗粒的制程制程工艺通常都是小步快跑，按照现在的首次受超进度差不多最先进的制程为10nm，而1γnm就是引入艺一个接近10nm工艺的一个工艺，当然除了美光之外，内能享三星以及海力士已经在数年之前将EUV工艺进入到DRAM颗粒的制造之中，当然目的就是为了让DRAM颗粒的性能更加出色，与上代工艺相比，1γnm可以实现最高30%的晶体管密度提升。
与CPU一样，先进工艺可以让产品的频率达到一个新的高度，对于内存也同样如此，过去高频内存通常用于主流内存容量，例如16GB以及32GB，而一些面向服务器或者工作站内存尽管容量很大，但是其频率却并不高，一方面是为了保持内存的稳定，还有一方面就是制程工艺没到火候，如今随着DRAM颗粒工艺制程的提升，生产兼顾超高频以及大容量内存也就成为了可能，据悉美光可以实现让128GB容量的内存频率在9200MHz。
显然这些内存是为了AI运算等高性能应用场景做准备，有了它们，AI厂商在从事AI训练以及推理也将得心应手，从而达到更高的效率。
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